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1月19日，國內首臺8英寸PZT壓電薄膜設備落戶上海智能傳感器產業園超越摩爾研發中試線，打造基于壓電材料的MEMS先進工藝平臺。平臺將由國家智能傳感器創新中心（簡稱“創新中心”）和上海微技術工業研究院共同建設，持續推進智能傳感關鍵共性技術創新開發能力。

PZT薄膜壓電MEMS技術是智能傳感器領域的重要發展方向，是充滿技術多樣性和產業機會的藍海領域。創新中心的量產型PZT壓電薄膜沉積設備可以實現8英寸晶圓上單晶體PZT薄膜的高質量生長，成膜溫度低（<500℃），可以滿足CMOS傳感控制電路與MEMS兼容集成制造需求，是與Bosch、Silex等國際主流傳感器生產廠商保持同步的先進裝備。新型壓電MEMS光學、聲學、慣性、微流控等產品，在自動駕駛、消費電子、光通信、醫療康養、工業控制等AIoT領域具有廣泛而重要的應用前景。

本次入駐的PZT壓電薄膜沉積設備來自ULVAC，以及來自Oxford Instrument的PZT 薄膜刻蝕設備。創新中心持續穩步推進包括設計、仿真、材料、加工、測試等環節的高端MEMS工藝平臺能力建設，快速形成一系列相關特色技術模塊和工藝能力，將與產業鏈上下游共同打造基于壓電薄膜材料的MEMS新器件開發、新原理探索、新應用驗證的技術平臺，為國內外相關技術和產品開發提供平臺支撐服務，也將為無鉛壓電材料的薄膜化以及在MEMS方向的應用探索和技術開發提供平臺支持。

國家智能傳感器創新中心致力于先進傳感器技術創新，以關鍵共性技術的研發和中試為目標，聯合傳感器上下游及產業鏈龍頭企業開展共性技術研發，形成“產學 研 用”協同創新機制，打造世界級智能傳感器創新中心。依托中國傳感器與物聯網產業聯盟已有近1000家產業鏈各領域的代表企業，發揮產學研資源優勢，加速我國物聯網核心技術的發展，推動智能傳感、大數據、人工智能的生態體系建設。